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三星否认自家内存芯片未通过英伟达测试
11:10
据IT之家,此前有消息称三星电子最新的高带宽内存(HBM)芯片尚未通过英伟达测试,有“知情人士”表示,该公司的芯片因发热和功耗问题而受到影响。不过据韩媒Business Korea报道,三星电子发布声明否认了相关报道,该公司声称他们正在与多家全球合作伙伴“顺利进行HBM芯片测试过程”,同时强调“他们正与其他商业伙伴持续合作,以确保产品质量和可靠性”。三星最近开始批量生产其第五代HBM芯片——24GB(8-Hi)/ 36GB(12-Hi)的HBM3E产品。在目前已量产的HBM3E上,三星并未像竞争对手SK海力士、美光那样采用1b nm制程DRAM裸片,而是仍使用1a nm颗粒,在能耗方面处于劣势。加上本次出现的相关负面舆论,这导致一些分析师怀疑三星“是否有能力从SK海力士处迅速夺回市场份额”。